Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA20BDP-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA20BDP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA20BDP-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)

THB54.952

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58.799

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2980 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 45	THB54.952	THB274.76
50 - 95	THB53.58	THB267.90
100 - 245	THB52.24	THB261.20
250 - 995	THB50.934	THB254.67
1000 +	THB49.66	THB248.30

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA20BDP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet - SIRA20BDP-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	335 A
Maximum Drain Source Voltage	25 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	0.00058 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2

Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA20BDP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง