Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SI7120BDN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 904-972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7120BDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB16.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB16.16 |
| 25 - 99 | THB10.45 |
| 100 + | THB6.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7120BDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management, providing enhanced performance in various electronic applications through Advanced features and robust reliability.
TrenchFET Gen IV technology optimises efficiency and reduces power loss
100% tested for R and UIS, ensuring consistent reliability
Lead (Pb)-free construction adheres to environmental standards
Optimised switching characteristics support high-speed applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3
