Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SI7120BDN-T1-GE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB16.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB16.16
25 - 99THB10.45
100 +THB6.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
904-972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI7120BDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.021Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

19.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

ROHS

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management, providing enhanced performance in various electronic applications through Advanced features and robust reliability.

TrenchFET Gen IV technology optimises efficiency and reduces power loss

100% tested for R and UIS, ensuring consistent reliability

Lead (Pb)-free construction adheres to environmental standards

Optimised switching characteristics support high-speed applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง