Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R2K0P7AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,737.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,929.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,425 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
75 - 75THB36.50THB2,737.50-
150 - 225THB35.405THB2,655.382%
300 +THB34.343THB2,575.735%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7451
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPU95R2K0P7AKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Series

CoolMOS P7

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.41mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon IPU95R2K0P7 designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low-power SMPS market. It offer 50V more blocking voltage than its predecessor 900V Cool MOS C3, the 950V Cool MOS P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V Cool MOS P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. Cool MOS P7 is developed with best-in-class VGS(the) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss

Best-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ

Best-in-class VGS(the) of 3V and smallest VGS(the) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง