Infineon CoolMOS P7 SJ Type N-Channel MOSFET, 2 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R3K7P7AKMA1

RS Stock No.:: 219-6015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU95R3K7P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 SJ Type N-Channel MOSFET, 2 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R3K7P7AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB256.785

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB274.755

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,335 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB17.119	THB256.79
30 - 75	THB16.263	THB243.95
90 - 225	THB15.45	THB231.75
240 - 465	THB14.677	THB220.16
480 +	THB13.944	THB209.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-6015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU95R3K7P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Series	CoolMOS P7 SJ
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	370mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	22W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.22 mm
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Series CoolMOS P7 SJ
	Package Type TO-251
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 370mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 22W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.22 mm
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPU95R3K7P7AKMA1

The Infineon designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V CoolMOS™ C3, the 950V CoolMOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V CoolMOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. CoolMOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(th) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Infineon CoolMOS P7 SJ Type N-Channel MOSFET, 2 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R3K7P7AKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง