Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251

RS Stock No.:: 217-2580
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS70R360P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,485.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,590.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB19.81	THB1,485.75
150 - 225	THB19.216	THB1,441.20
300 +	THB18.639	THB1,397.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2580
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS70R360P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	53W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.4nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Width	2.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.82mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series CoolMOS P7
	Package Type TO-251
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 53W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.4nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Width 2.4 mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.82mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPS70R360P7SAKMA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses(Eoss)

Product validation acc. JEDEC Standard

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง