Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K2P7SAKMA1

RS Stock No.:: 220-7443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPSA70R1K2P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K2P7SAKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB411.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB440.675

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 +	THB16.474	THB411.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPSA70R1K2P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-251
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	25W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.38 mm
	Height	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-251
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 25W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.38 mm
	Height 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPSA70R1K2P7SAKMA1

The Infineon has developed he 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series to serve today’s and especially tomorrow’s trends in fly back topologies. It addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of super junction MOSFET experience, 700V Cool MOS P7 enables best fit for target applications in terms of:

Extremely low FOM R DS(on) x E oss; lower Q g, E on and E off

Highly performant technology

Low switching losses (E oss)

Highly efficient

Excellent thermal behaviour

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)the of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Cost competitive technology

Up to 2.4% efficiency gain and 12K lower device temperature compared to C6 technology

Further efficiency gain at higher switching speed

Supporting less magnetic size with lower BOM costs

High ESD ruggedness up to HBM Class 2 level

Easy to drive and design-in

Enabler for smaller form factors and high power density designs

Excellent choice in selecting the best fitting product

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K2P7SAKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง