Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD95R2K0P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB510.92

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB546.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 7,320 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 15THB34.061THB510.92
30 - 75THB32.357THB485.36
90 - 225THB30.74THB461.10
240 - 465THB29.204THB438.06
480 +THB27.743THB416.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-5995
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD95R2K0P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET, 950V Drain Source Voltage, 4A Continuous Drain Current - IPD95R2K0P7ATMA1


This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement transistor designed for switching and power conversion in demanding electronic systems. It operates across a wide ambient range and is intended for surface-mounted applications where a compact, thermally capable switching device is required.

Features and Benefits:


• 950V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 2mΩ Rds(on) minimises conduction losses during high-current operation
• 10nC gate charge reduces drive energy and switching-related losses
• 4A continuous drain current supports moderate load currents reliably
• 37W maximum power dissipation allows significant thermal headroom
• 20V gate-source capability accommodates common gate drive voltages

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for switch-mode power supply primary switches
• Used with industrial motor-drive front-ends
• Can be used for energy conversion in renewable systems
• Suitable for Compact surface-mount power modules

What temperature extremes can it tolerate in operation?


It is rated to operate from −55°C up to 150°C, enabling use in wide thermal envelopes.

How is it packaged for PCB assembly?


It comes in a TO-252 surface-mount package suitable for soldered board mounting.

What forward conduction characteristic is typical when conducting?


The device exhibits a forward voltage of 0.9V during conduction under appropriate conditions.

How many electrical connections does it present for circuit integration?


It provides three pins for standard MOSFET Terminal connections.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง