Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1

RS Stock No.:: 220-7441
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS80R750P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB422.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB451.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB42.211	THB422.11
20 - 30	THB41.157	THB411.57
40 +	THB40.523	THB405.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7441
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS80R750P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-251
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	750mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	51W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.35 mm
	Height	6.22mm
	Length	6.7mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-251
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 51W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.35 mm
	Height 6.22mm
	Length 6.7mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS80R750P7AKMA1

The Infineon 800V Cool MOS P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Qg, C is and C oss

Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ

Best-in-class V (GS)the of 3V and smallest V (GS)the variation of ± 0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

0.1% to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature as compared to Cool MOS™ C3

Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly cost

Easy to drive and to design-in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Easy to select right parts for fine tuning of designs

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง