Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R750P7AKMA1
- RS Stock No.:
- 220-7448
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R750P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB3,613.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,866.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 75 - 75 | THB48.176 | THB3,613.20 | - |
| 150 - 225 | THB46.731 | THB3,504.83 | 2% |
| 300 + | THB45.329 | THB3,399.68 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7448
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R750P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 51W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 51W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R2K0P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R360P7SAKMA1
