Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R2K0P7AKMA1

RS Stock No.:: 220-7452
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU95R2K0P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R2K0P7AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB390.885

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB418.245

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB26.059	THB390.89
30 - 30	THB25.407	THB381.11
45 +	THB25.017	THB375.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7452
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPU95R2K0P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	37W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.41 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Series CoolMOS P7
	Package Type TO-251
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 37W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.41 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPU95R2K0P7AKMA1

The Infineon IPU95R2K0P7 designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low-power SMPS market. It offer 50V more blocking voltage than its predecessor 900V Cool MOS C3, the 950V Cool MOS P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V Cool MOS P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. Cool MOS P7 is developed with best-in-class VGS(the) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss

Best-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ

Best-in-class VGS(the) of 3V and smallest VGS(the) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU95R2K0P7AKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง