Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 220-7403
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB33,987.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,367.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB13.595 | THB33,987.50 |
| 5000 - 7500 | THB13.187 | THB32,967.50 |
| 10000 + | THB12.791 | THB31,977.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7403
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩThe new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.
N-channel - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
world's lowest RDS at 60V (on)
highest current capability
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
robust packages with superior quality and reliability
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S4L12ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2
