Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB48,720.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB52,130.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB19.488THB48,720.00
5000 - 7500THB18.903THB47,257.50
10000 +THB18.336THB45,840.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7413
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD90N06S407ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩ.The new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Ultra low RDSon

world's lowest RDS at 60V (on)

highest current capability

lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

robust packages with superior quality and reliability

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง