Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2

RS Stock No.:: 220-7404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (20 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 20)*

THB618.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB661.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

340 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB30.91	THB618.20
640 - 1240	THB30.138	THB602.76
1260 +	THB29.674	THB593.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.1nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Maximum Power Dissipation Pd	36W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.1nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Maximum Power Dissipation Pd 36W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon OptiMOS Series MOSFET & Diode, 60V Maximum Drain Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - IPD30N06S4L23ATMA2

This MOSFET & diode is a power switching device designed for high-current applications in demanding electrical environments. It is an N-channel enhancement-mode transistor with an integrated diode, intended for surface-mount deployment in systems requiring robust conduction and thermal tolerance. The component operates across an extended temperature span and is built to meet automotive stress requirements for use in vehicle electronics and industrial controls.

Features and Benefits:

• 60 V rating enables switching of moderate-voltage power rails
• 30 A continuous drain current supports high-current loads
• 23 mΩ Rds(on) minimises conduction losses under load
• 36 W power dissipation allows sustained power handling
• 16.1 nC typical gate charge provides predictable switching behaviour
• 1.3 V forward voltage for efficient diode conduction

Applications

• Suitable for automotive power management modules
• Ideal for DC motor drive stages in vehicles
• Used with high-current converters and regulators
• Can be used for load switching in industrial equipment
• Suitable for surface-mount assemblies requiring thermal endurance

What gate voltage limits must be observed during use?

The device must not be driven beyond ±16 V gate-to-source to prevent gate stress.

What package and mounting style does the component use?

It is supplied in a TO-252 package intended for surface mounting with three pins.

How does the device behave across temperature extremes?

It is specified to operate from −55 °C up to 175 °C for use in wide-temperature environments.

What channel conduction type is implemented and how does it affect activation?

It uses an N-channel enhancement mode, so a positive gate voltage relative to the source is required to turn it on.