Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2

RS Stock No.:: 220-7404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB477.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB510.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB23.866	THB477.32
640 - 1240	THB23.27	THB465.40
1260 +	THB22.912	THB458.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7404
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	36W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.1nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 36W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.1nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD30N06S4L23ATMA2

The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩThe new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

world's lowest RDS at 60V (on)

highest current capability

lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

robust packages with superior quality and reliability

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง