Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

RS Stock No.:: 220-7434
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R360P6SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB130,445.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB139,575.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB26.089	THB130,445.00
10000 - 15000	THB25.306	THB126,530.00
20000 +	THB24.547	THB122,735.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7434
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R360P6SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	CoolMOS P6
	Package Type	ThinPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	89.3W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.1mm
	Height	1.1mm
	Width	6.1 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series CoolMOS P6
	Package Type ThinPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 89.3W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.1mm
	Height 1.1mm
	Width 6.1 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R360P6SATMA1

The Infineon new Cool MOS Thin PAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs. This new package has a very small footprint of 5x6mm 2 and a very low profile with only 1mm height. This significantly smaller package size in combination with its benchmark low parasitic inductances can be used as a new and effective way to decrease system solution size in power- density driven designs. The Thin PAK 5x6 package is characterized by a very low source inductance 1.6nH, as well as a similar thermal performance as DPAK. The package hence enables faster and thus more efficient switching of power MOSFETs and is easier to handle in terms of switching behaviour and EMI.

Extremely low losses due to very low FOMRdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

Pb-freeplating, Halogen free mold compound

Qualified for industrial grade applications according to JEDEC

Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET & Diode, 30 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง