Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1

RS Stock No.:: 220-7352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06NSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB376.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB402.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,925 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 1245	THB75.234	THB376.17
1250 - 2495	THB73.354	THB366.77
2500 +	THB72.224	THB361.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC028N06NSTATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	137A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Height	1.2mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 137A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Height 1.2mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC028N06NSTATMA1

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)

Optimized for synchronous rectification

Enhanced 175°C capability in SuperSO8

Longer life time

Highest efficiency and power density

Highest system reliability

Thermal robustness

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง