Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 100 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 220-7386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB100N08S2L07ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB108,637.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB116,242.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB108.637 | THB108,637.00 |
| 2000 - 3000 | THB105.378 | THB105,378.00 |
| 4000 + | THB102.216 | THB102,216.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB100N08S2L07ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 75V-100V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in various packages a RDS(on) range from 1.2mΩ up to 190mΩ by reducing CO2 emissions of passenger cars is accelerating the 48V board net adoption and therefore the 48V like starter generators (main inverter), battery main switches, DCDC converter as well as 48V auxiliaries. For this emerging market, Infineon is offering a broad portfolio of Automotive 80V and 100V MOSFETs, that are housed in different package types like TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) and S308 (TSDSON-8), in order to provide solutions for different power requirements as well as different cooling concepts on electronic control unit (ECU) level. Next to the 48V applications the 80V and 100V MOSFETs are also used for example in LED lighting, fuel injection as well as in-vehicle wireless charging.
N-channel Logic Level - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N12S311ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
