Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ100N06NSATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7362
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ100N06NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB448.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB480.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 1240 | THB22.43 | THB448.60 |
| 1260 - 2480 | THB21.869 | THB437.38 |
| 2500 + | THB21.533 | THB430.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7362
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ100N06NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.35mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.35mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Optimized for synchronous rectification
40% lower R DS(on) than alternative devices
40% improvement of FOM over similar devices
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
Very low voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1