Vishay SiHU5N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU5N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 204-7229
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHU5N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB258.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB276.72
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB25.862 | THB258.62 |
| 750 - 1490 | THB25.216 | THB252.16 |
| 1500 + | THB24.827 | THB248.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7229
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHU5N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | SiHU5N80AE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.35Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.39 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type IPAK | ||
Series SiHU5N80AE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.39 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHU5N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 SIHP5N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-263 SIHB5N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3
