Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB450.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB482.335

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 735 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 10THB90.156THB450.78
15 - 20THB87.902THB439.51
25 +THB86.548THB432.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
210-4972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB17N80AE-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.65mm

Height

4.06mm

Length

14.61mm

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 15A Continuous Drain Current - SIHB17N80AE-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel device designed for switching and power-conversion roles in industrial and electronic systems. It operates as an enhancement-mode transistor and is supplied in a TO-263 surface-mount package for use on populated circuit boards. The component is intended for applications requiring high drain-source voltage handling and Compact thermal management.

Features and Benefits:


• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 15A continuous drain current supports substantial load currents
• 250 mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 179W power dissipation capacity aids thermal stability
• 41 nC typical gate charge ensures Faster switching transitions
• Vgs limit of 30V protects gate from overvoltage

Applications


• Suitable for high-voltage SMPS primary-side switching
• Ideal for industrial motor drive-stage switching
• Used for power-factor-correction front-end converters
• Can be used for inverter and UPS high-voltage sections

What temperature range can it operate within?


It functions across ambient extremes from -55 °C to a maximum operating temperature of 150 °C, suitable for elevated-temperature environments.

How many electrical connections does it present to the PCB?


The device provides three electrical pins consistent with common MOSFET topology for drain, gate and source connections.

What packaging considerations affect heat dissipation?


The TO-263 surface-mount package offers a low-profile thermal path to the PCB and is intended for attachment to a suitably sized copper land for heat spreading.

Is it suitable for automotive-qualified designs?


It is not specified as automotive-standard compliant and should be evaluated accordingly for vehicle applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง