Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 210-4972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB450.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB482.335
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 735 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB90.156 | THB450.78 |
| 15 - 20 | THB87.902 | THB439.51 |
| 25 + | THB86.548 | THB432.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.06mm | |
| Length | 14.61mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series E | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.06mm | ||
Length 14.61mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 15A Continuous Drain Current - SIHB17N80AE-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel device designed for switching and power-conversion roles in industrial and electronic systems. It operates as an enhancement-mode transistor and is supplied in a TO-263 surface-mount package for use on populated circuit boards. The component is intended for applications requiring high drain-source voltage handling and Compact thermal management.
Features and Benefits:
• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 15A continuous drain current supports substantial load currents
• 250 mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 179W power dissipation capacity aids thermal stability
• 41 nC typical gate charge ensures Faster switching transitions
• Vgs limit of 30V protects gate from overvoltage
• 15A continuous drain current supports substantial load currents
• 250 mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 179W power dissipation capacity aids thermal stability
• 41 nC typical gate charge ensures Faster switching transitions
• Vgs limit of 30V protects gate from overvoltage
Applications
• Suitable for high-voltage SMPS primary-side switching
• Ideal for industrial motor drive-stage switching
• Used for power-factor-correction front-end converters
• Can be used for inverter and UPS high-voltage sections
• Ideal for industrial motor drive-stage switching
• Used for power-factor-correction front-end converters
• Can be used for inverter and UPS high-voltage sections
What temperature range can it operate within?
It functions across ambient extremes from -55 °C to a maximum operating temperature of 150 °C, suitable for elevated-temperature environments.
How many electrical connections does it present to the PCB?
The device provides three electrical pins consistent with common MOSFET topology for drain, gate and source connections.
What packaging considerations affect heat dissipation?
The TO-263 surface-mount package offers a low-profile thermal path to the PCB and is intended for attachment to a suitably sized copper land for heat spreading.
Is it suitable for automotive-qualified designs?
It is not specified as automotive-standard compliant and should be evaluated accordingly for vehicle applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
