Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG21N80AE-GE3

RS Stock No.:: 188-4876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG21N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG21N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB2,939.725

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,145.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB117.589	THB2,939.73
50 - 75	THB115.032	THB2,875.80
100 +	THB112.476	THB2,811.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4876
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG21N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247AC
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.82mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	5.31mm
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247AC
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.82mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 5.31mm
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHG21N80AE-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 17.4A Continuous Drain Current - SIHG21N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage, N-channel switching device designed for industrial and power-conversion environments. It operates as an enhancement-mode transistor capable of handling substantial voltages and currents while being mounted through-hole in a TO-247AC package. The device is suitable for systems that demand rugged semiconductor switching across a wide ambient temperature range.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching capability
• 17.4A continuous drain supports significant load current
• 235mΩ Rds(on) provides reduced conduction losses
• 179W power dissipation allows high-power operation
• 48nC typical gate charge yields predictable switching energy
• 30V gate rating permits common gate-drive voltages

Applications

• Suitable for industrial high-voltage power supplies
• Ideal for inverter and motor-drive switching stages
• Used with hard-switching topologies in power converters
• Can be used for class-D audio amplifiers requiring high voltage
• Suitable for energy and renewable power electronics

What gate-drive voltage range can I use safely?

The device accepts a maximum gate-to-source voltage of 30V, so gate-drive circuits should be designed to remain within this limit to avoid gate stress.

How does it perform across temperature extremes?

The transistor is rated to operate from -55°C up to 150°C, permitting use in elevated-temperature industrial installations with appropriate thermal management.

What mounting considerations apply for PCB design?

It is supplied in a through-hole TO-247AC package, so board layouts should include suitable hole spacing and heat-sinking provisions for the package footprint.

What switching behaviour should I expect from the gate characteristics?

With a typical total gate charge of 48nC, designers can estimate switching energy and select gate drivers that balance switching speed and EMI for their topology.