P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2319DDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 50)

THB12.077

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB12.922

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

5900 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
50 - 700	THB12.077	THB603.85
750 - 1450	THB11.775	THB588.75
1500 +	THB11.594	THB579.70

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2319DDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	3.6 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Series	TrenchFET
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1.7 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
Length	3.04mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Height	1.02mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง