Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252

RS Stock No.:: 178-3715
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD40031EL_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB65,370.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69,946.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB32.685	THB65,370.00
4000 - 6000	THB31.705	THB63,410.00
8000 +	THB30.754	THB61,508.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3715
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD40031EL_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TO-252
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	186nC
	Forward Voltage Vf	-1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Height	6.22mm
	Width	2.38 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TO-252
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 186nC
	Forward Voltage Vf -1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Height 6.22mm
	Width 2.38 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 3.2mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 136W and continuous drain current of 100A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง