Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3

RS Stock No.:: 178-3883
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ481EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB684.325

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB732.225

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB27.373	THB684.33
750 - 1475	THB26.688	THB667.20
1500 +	THB26.278	THB656.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3883
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ481EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5.99mm
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5.99mm
	Height 1.07mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of20V. It has drain-source resistance of 80mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 45W and continuous drain current of 16A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง