Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 178-3717
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ415EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB44,265.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB47,364.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB14.755	THB44,265.00
6000 - 9000	THB14.312	THB42,936.00
12000 +	THB13.883	THB41,649.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3717
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ415EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.99mm
	Height	1.07mm
	Width	5 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.99mm
	Height 1.07mm
	Width 5 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 14mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 45W and continuous drain current of 30A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง