Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 180-7270
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2307CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB16,416.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,565.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.472 | THB16,416.00 |
| 6000 - 9000 | THB5.308 | THB15,924.00 |
| 12000 + | THB5.149 | THB15,447.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7270
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2307CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 138mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.14W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 138mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.14W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 88mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 3.5A and a maximum power rating of 1.8W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23