Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 178-3663
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2319DDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB20,577.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,017.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB6.859	THB20,577.00
6000 - 9000	THB6.653	THB19,959.00
12000 +	THB6.454	THB19,362.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3663
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2319DDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.5nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4 mm
	Height	1.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.4 mm
	Height 1.02mm
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 75mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 1.7W and continuous drain current of 3.6A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery switch

• Load switch

• Motor drive control

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested