P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3

RS Stock No.:: 178-3873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ431AEP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB44.986

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB48.135

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

10300 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 740	THB44.986	THB449.86
750 - 1490	THB43.86	THB438.60
1500 +	THB43.185	THB431.85

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ431AEP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	9.4 A
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK SO-8L
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	760 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Power Dissipation	68 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	5mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Length	5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs	55 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Automotive Standard	AEC-Q101
Height	1.07mm

P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง