Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF

RS Stock No.:: 281-6027
Distrelec หมายเลขบทความ:: 171-16-205
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF840PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 1000 ชิ้น)*

THB39,121.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB41,859.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
1000 - 1000	THB39.121	THB39,121.00
2000 - 4000	THB36.886	THB36,886.00
5000 +	THB33.532	THB33,532.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 281-6027
Distrelec หมายเลขบทความ:: 171-16-205
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF840PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRF840
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	850mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-220AB
	Series IRF840
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF840PBF

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF840 Series Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 8A Continuous Drain Current - IRF840PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-handling roles in industrial and electronic systems. It operates over a wide ambient range and is supplied in a through-hole TO-220 package for straightforward mounting and heatsinking in control assemblies.

Features and Benefits:

• 500V drain voltage supports high-voltage switching applications
• 8 A continuous drain current enables substantial load drive
• 125W power dissipation allows sustained thermal loading
• 850 mΩ RDS(on) reduces conduction losses under load
• 63 nC typical gate charge offers predictable switching behaviour
• 20V maximum gate-source rating protects the gate from overdrive

Applications

• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor control stages
• Used for load switching in power distribution modules
• Can be used for laboratory high-voltage test rigs
• Suitable for discrete amplifier and converter circuits

What ambient temperature range can it tolerate in operation?

It operates between -55 °C and 150 °C, allowing use in harsh thermal environments and elevated junction scenarios.

How is it mounted and cooled in a system?

It is supplied in a TO-220AB through-hole package enabling bolted heatsink attachment for efficient thermal management.

What gate drive constraints should designers observe?

Gate drive must remain within ±20V to avoid exceeding the maximum gate-source rating and to preserve device integrity.

How does switching performance relate to gate charge?

The typical 63 nC gate charge gives designers a basis on which to calculate driver current and switching transition times for specified drive voltages.