Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB11N50APBF
- RS Stock No.:
- 541-1944
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB11N50APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB71.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB76.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 610 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB71.94 |
| 13 - 24 | THB70.13 |
| 25 + | THB69.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-1944
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB11N50APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRFB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 520mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRFB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 520mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.41mm | ||
Height 9.01mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFP448 Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP448PBF
- Vishay IRFP448 Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA125N60EF-GE3
- Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NM60N
