Vishay IRFB11N50A Type N-Channel Power MOSFET, 11 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB11N50APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB71.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB76.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 137 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 219 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB71.94
13 - 24THB70.13
25 +THB69.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
541-1944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFB11N50APBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220AB

Series

IRFB11N50A

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

520mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFB11N50A Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 11A Maximum Continuous Drain Current - IRFB11N50APBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial systems. It operates as an enhancement-mode transistor for managing high-voltage loads and is mounted through the PCB using a TO-220AB through-hole package for straightforward heatsinking and assembly.

Features and Benefits:


• 500V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching
• 11A continuous drain current supports moderate load currents
• 520mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-duty circuits
• 170W power dissipation allows substantial thermal handling
• 52nC typical gate charge facilitates predictable switching dynamics
• 150°C maximum operating temperature sustains elevated thermal environments

Applications


• Suitable for SMPS primary-side switching in power supplies
• Ideal for inverter-stage switching in motor drives
• Used for high-voltage DC-DC conversion modules
• Can be used for industrial relay and contactor drive circuits

What gate drive limits should I observe for safe operation?


Drive the gate within ±30V to avoid exceeding the maximum gate-source rating and ensure reliable switching.

How does thermal management affect performance under continuous load?


Attach a heatsink to the TO-220AB tab to keep junction temperature below maximum limits and maintain the stated power dissipation capability.

What ambient range is supported for deployment in industrial sites?


The device tolerates operating temperatures down to -55°C and up to 150°C for use across wide environmental conditions.

How does the package style influence mounting and serviceability?


The through-hole TO-220AB format permits secure mechanical mounting and straightforward replacement during maintenance.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง