Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 8.7 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 787-9181
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP8N50D-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB259.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB277.655
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 10 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB51.898 | THB259.49 |
| 15 - 20 | THB50.602 | THB253.01 |
| 25 + | THB49.824 | THB249.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9181
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP8N50D-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.85Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.65 mm | |
| Length | 10.51mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.85Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.65 mm | ||
Length 10.51mm | ||
Height 9.01mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP6N40D-GE3
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP25N50E-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840HPBF
