Vishay IRF840A Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 542-9440
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-23-891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF840APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB69.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB74.77
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 741 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 3,161 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB69.88 |
| 13 - 24 | THB68.14 |
| 25 + | THB67.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 542-9440
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-23-891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF840APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IRF840A | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IRF840A | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Width 4.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRF840A Series Power MOSFET, 500V Drain-Source Voltage, 8A Continuous Drain Current - IRF840APBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion tasks in industrial and electronic systems. It operates across a wide temperature span and is packaged for through-hole mounting to support conventional PCB assembly and heatsinking approaches.
Features and Benefits:
• 500V drain-source rating enables high-voltage switching applications • 8A continuous drain current supports moderate load handling • 850mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-current designs • 125W power dissipation allows substantial thermal headroom • 38nC typical gate charge yields predictable switching behaviour • 30V gate-source limit ensures compatibility with common gate drivers
Applications
• Suitable for high-voltage power supply design and conversion tasks • Ideal for switching stages in automation control equipment • Used for motor drive front ends requiring through-hole components • Can be used for industrial inverter and converter prototypes • Used with discrete power boards requiring TO-220 mounting
What operating temperatures can I expect for reliable use?
The device is rated to operate from -55°C up to a maximum of 150°C, supporting harsh ambient conditions and elevated junction temperatures with appropriate thermal management.
What packaging considerations affect cooling and mounting?
The through-hole TO-220AB package with three pins permits direct attachment to heatsinks or chassis plates, facilitating conduction cooling and straightforward soldering onto traditional boards.
How does the gate charge influence driver selection?
With a typical gate charge of 38nC at specified gate drive, you should choose a gate driver capable of delivering sufficient Peak current to achieve the desired switching speed without excessive drive losses.
What voltage and current limits must designs respect?
Continuous drain current should be kept at or below 8A, and drain-source voltage must not exceed 500V to avoid device overstress.
Are there material or regulatory constraints to consider?
The component is supplied in a RoHS-compliant form, indicating adherence to standard restrictions on certain hazardous substances.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF840A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840APBF
- Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay IRFBC20 Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRF820 Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRF740A Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
