Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

RS Stock No.:: 165-6919
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3993CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB21,792.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23,316.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB7.264	THB21,792.00
6000 - 9000	THB7.046	THB21,138.00
12000 +	THB6.834	THB20,502.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6919
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3993CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSOP
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	188mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.7mm
	Length	3.1mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSOP
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 188mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.7mm
	Length 3.1mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Series Power MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 2.3A Maximum Continuous Drain Current - SI3993CDV-T1-GE3

This power MOSFET is a surface-mount P-channel switching transistor designed for compact, low-power applications. It operates within a modest voltage range and is intended for efficient switching duties where a dual-element, isolated transistor configuration is required. The component is supplied in a slim TSOP package suited to board-level integration in electronic control systems.

Features and Benefits:

• 30V maximum drain voltage enables safe low-voltage switching
• 2.3A continuous drain current supports moderate load currents
• 188mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 5.2nC typical gate charge affords fast gate switching
• 1.4W power dissipation allows duty-cycled operation
• Isolated dual-element design enables split-channel implementations

Applications

• Suitable for low-voltage motor control in automation modules
• Ideal for power switching in Compact power supplies
• Used for load switching in embedded control systems
• Can be used for polarity control in battery management circuits

What thermal range can be expected during operation?

The device is rated to operate between -55°C and 150°C, allowing use across extended temperature environments.

How does the package support board assembly?

The TSOP surface-mount format with six pins facilitates automated placement and soldering on densely populated boards.

Can the gate handle higher control voltages?

The gate should not exceed 20V maximum to avoid damaging the gate oxide and to maintain specified performance.

Does the device support multi-element configurations on a single chip?

Yes, it contains two elements per chip in an isolated configuration, enabling paired switching arrangements without external isolation.