Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- RS Stock No.:
- 165-6919
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB21,792.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB23,316.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB7.264 | THB21,792.00 |
| 6000 - 9000 | THB7.046 | THB21,138.00 |
| 12000 + | THB6.834 | THB20,502.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6919
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 188mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 188mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Height 1mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 4.5 A 6-Pin SC-70
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 700 mA 6-Pin SC-88
