Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3993CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB292.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB312.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,560 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB14.602	THB292.04
760 - 1480	THB14.237	THB284.74
1500 +	THB14.018	THB280.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3993CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	188mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Height	1mm
	Width	1.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 188mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Height 1mm
	Width 1.7 mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง