Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB25,080.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26,835.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB10.032THB25,080.00
5000 - 7500THB9.731THB24,327.50
10000 +THB9.439THB23,597.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-2751
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI9933CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

1.55mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง