Dual P-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1967DH-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3108
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1967DH-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual P-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1967DH-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Tape of 50)

THB11.647

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB12.462

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

1600 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	Per Tape**
50 - 700	THB11.647	THB582.35
750 - 1450	THB11.356	THB567.80
1500 +	THB11.181	THB559.05

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3108
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1967DH-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.1 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	790 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Length	2.2mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	2.6 nC @ 8 V
Width	1.35mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm

Dual P-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1967DH-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง