Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88

RS Stock No.:: 145-2681
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1967DH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB26,094.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27,921.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB8.698	THB26,094.00
6000 - 9000	THB8.437	THB25,311.00
12000 +	THB8.184	THB24,552.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-2681
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1967DH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-88
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	790mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1mm
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.35mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-88
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 790mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1mm
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.35mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Series Power MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 1.1A Maximum Continuous Drain Current - SI1967DH-T1-GE3

This power MOSFET is a P‑channel surface‑mount transistor designed for low‑voltage switching in Compact electronic systems. It operates as an enhancement‑mode device and is intended for board‑level power control where modest current handling and a small footprint are required.

Features and Benefits:

• 20V drain‑source rating enables low‑voltage system deployment • 1.1A continuous drain current supports light power switching • 790mΩ low Rds(on) reduces conduction losses during operation • 2.6nC typical gate charge permits Faster gate transitions • 1.25W power dissipation manages thermal load in small assemblies • Dual‑element isolated transistor allows paired switching arrangements

Applications

• Suitable for battery management and power rail switching in portable equipment • Ideal for load switching in industrial control modules • Used for reverse‑polarity protection in embedded systems • Can be used for signal level shifting in mixed‑voltage circuitry

What package should I plan for when designing the PCB?

The device is supplied in a 6‑pin SC‑88 SMD package that occupies a Compact footprint suitable for high‑density boards.

How does temperature affect operation limits?

The component is specified for operation between -55°C and 150°C, defining the allowable ambient and junction environments for reliable switching.

Can this component be used in automotive systems?

It is not classified to automotive standards, so suitability should be evaluated against vehicular qualification requirements before use.

What gate voltage range is permissible for control signals?

Gate drive must not exceed an 8V gate‑to‑source limit to avoid device overstress.

How many transistor elements are on the chip and what configuration are they?

The chip contains two isolated elements configured to enable paired or independent switching arrangements.