Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6 SI1553CDL-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-6904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1553CDL-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6 SI1553CDL-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB23,730.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,380.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB7.91	THB23,730.00
6000 - 9000	THB7.673	THB23,019.00
12000 +	THB7.443	THB22,329.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1553CDL-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	700mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-70-6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.48mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	340mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12, -12V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.35mm
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 700mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-70-6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.48mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 340mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.2nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12, -12V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.35mm
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 700mA Maximum Continuous Drain Current - SI1553CDL-T1-GE3

This MOSFET is a compact dual-channel surface-mount transistor designed for switching and analogue tasks in small-outline assemblies. It integrates both P-channel and N-channel devices on a single chip, enabling complementary switching topologies and simplified footprint requirements for designers working with low-voltage power rails and signal-level switching.

Features and Benefits:

• Very low Rds(on) of 1.48mΩ for reduced conduction losses
• Typical gate charge Qg of 1.2nC for faster gate-drive response
• Continuous drain current rating of 700mA for moderate-load switching
• Maximum Vds of 20V to support low-voltage power domains
• Power dissipation capability of 340mW to manage thermal loads

Applications

• Suitable for battery management and power-distribution circuits
• Ideal for load switching in portable instrumentation
• Used with level-shifting and complementary FET stages
• Can be used for low-voltage motor-control driver stages

What package style does it use and how many pins are present?

It comes in a six-pin SC-70 SMD package which conserves board area while providing separate terminals for dual devices.

What gate voltage limits should the design respect?

Gate-to-source voltage must be contained within ±12V to prevent device stress and ensure safe operation.

What operating temperature range can be expected in deployment?

It tolerates a wide ambient span from -55°C up to 150°C, supporting demanding thermal environments.

Does the device include multiple elements per die and how does that affect layout?

The chip houses two discrete elements, enabling mirrored routing for complementary circuits and reducing component count.