Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-6930
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI1922EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

263mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, +8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

+150°C

Height

1mm

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง