Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 19 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG20N50E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB308.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB329.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 190 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 4THB154.06THB308.12
6 - 10THB150.215THB300.43
12 +THB147.905THB295.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
121-9656
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHG20N50E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

E

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

20.82mm

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 19A Continuous Drain Current - SIHG20N50E-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for power conversion and switching applications. It offers robust switching capability suitable for through-hole mounting in conventional assemblies and operates across a wide ambient temperature range for demanding electronic environments.

Features and Benefits:


• 500V drain capability supports high-voltage power stages
• 19A continuous drain current enables substantial load handling
• 179W power dissipation allows high-power operation
• 184mΩ maximum RDS(on) minimises conduction losses
• 46nC typical gate charge reduces switching control energy
• 30V maximum gate rating permits standard gate drive voltages

Applications


• Suitable for power electronics MOSFETs for switching supplies
• Ideal for through-hole TO-247 power transistor 500V assemblies
• Used with high-voltage inverter and motor-drive stages
• Can be used for industrial power supplies and converters
• Used for legacy through-hole repairs and prototype boards

What are the thermal limits for deployment in hot environments?


It is specified to function from -55°C up to 150°C, permitting operation in elevated-temperature systems.

Which mounting method is required for reliable installation?


The device uses through-hole mounting in a TO-247AC package, compatible with standard wave or manual soldering processes and heatsinking arrangements.

What gate-drive considerations should I allow for during design?


Design for a maximum gate-source rating of 30V and account for a typical gate charge of 46nC when sizing drive circuitry.

How does the part comply with material restrictions for manufacturing?


It is RoHS-compliant, meeting material restriction requirements for environmental regulations.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง