Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -101.4 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4407DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 904-975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4407DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB53.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB56.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB53.22 |
| 10 - 24 | THB34.69 |
| 25 - 99 | THB20.43 |
| 100 - 499 | THB19.96 |
| 500 + | THB19.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-975
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4407DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -101.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0045Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88.3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -101.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88.3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay P-Channel MOSFET serves as a reliable electronic switch, designed to manage high voltage and current efficiently. It is specifically engineered for various power management applications, ensuring robust performance in demanding environments.
Operates at a drain-source voltage of -40 V for enhanced reliability
Ultra-low on-state resistance ensures minimal power loss during operation
Fully tested for R and UIS to guarantee performance under stressed conditions
Offers a maximum power dissipation rating of 5.0 W, allowing for cooler operation
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5203DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5205DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR608DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3