Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 208 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR608DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 904-977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR608DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB86.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB92.03
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB86.01 |
| 10 - 24 | THB56.08 |
| 25 - 99 | THB33.27 |
| 100 - 499 | THB32.31 |
| 500 + | THB31.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 904-977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR608DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 208A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 45V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0012Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.15mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 208A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 45V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0012Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.15mm | ||
Length 6.15mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay power MOSFET designed for efficient performance in high power applications, offering reliable management of drain-source voltage and current. It plays a Crucial role in enhancing energy efficiency in electronic systems.
N-Channel design for optimised conductivity and performance
Maximum drain-source voltage rating of 45 V ensures robust operation
Low on-state resistance improves power efficiency and thermal performance
Integrated with avalanche rating to safeguard against excessive voltage spikes
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR608DP-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3