Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -104 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB30.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB32.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB30.69
25 - 99THB20.30
100 +THB10.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-266
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISH521EDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

-104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.006Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.98mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.4 mm

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง