Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -104 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 735-266
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISH521EDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB30.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB32.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB30.69 |
| 25 - 99 | THB20.30 |
| 100 + | THB10.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-266
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISH521EDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -104A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.006Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.98mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 3.4 mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -104A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SH | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.006Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.98mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 3.4 mm | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N 67.4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
