Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -267 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5203DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 735-200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5203DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB74.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB79.99
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB74.76 |
| 10 - 24 | THB48.52 |
| 25 - 99 | THB25.25 |
| 100 - 499 | THB24.75 |
| 500 + | THB24.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-200
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5203DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -267A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0018Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 340nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.25mm | |
| Width | 5.26 mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -267A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0018Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 340nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.25mm | ||
Width 5.26 mm | ||
Height 1.12mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay P channel 20 V MOSFET is tailored for efficient load switching in Compact electronic designs. it combines reliable performance with eco-friendly compliance, ensuring safe and sustainable operation. its low-voltage capability makes it Ideal for modern consumer and automotive applications requiring dependable switching solutions.
Ensures RoHS compliance for environmental safety
Delivers halogen free construction for safer usage
Offers suitability for load switch applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5205DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3