Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB36.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB36.14
25 - 99THB23.76
100 - 499THB12.38
500 +THB11.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-204
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS5207DN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

-136.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay P channel 20 V MOSFET is tailored for efficient load switching in Compact electronic designs. it combines reliable performance with eco-friendly compliance, ensuring safe and sustainable operation. its low-voltage capability makes it Ideal for modern consumer and automotive applications requiring dependable switching solutions.

Ensures RoHS compliance for environmental safety

Delivers halogen free construction for safer usage

Offers suitability for load switch applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง