Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 735-202
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5207DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB34.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB34.16 |
| 25 - 99 | THB22.77 |
| 100 - 499 | THB11.88 |
| 500 + | THB11.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-202
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5207DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -136.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0042Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 139nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.26 mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -136.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0042Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 139nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.26 mm | ||
Length 6.25mm | ||
Height 1.12mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5203DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5205DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
