Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5207DP-T1-UE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB34.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB36.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB34.16
25 - 99THB22.77
100 - 499THB11.88
500 +THB11.39

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-202
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR5207DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

-136.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0042Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง