Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 6 A, 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SI3410BDV-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB8.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB8.08
25 - 99THB5.23
100 - 499THB3.33
500 +THB2.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-360
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI3410BDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOP-6

Series

SI

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

3.3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

3mm

Width

1.70mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient load management in electronic circuits. It operates at a maximum drain-source voltage of 30 V, optimising power usage in various applications.

Delivers maximum continuous drain current of 6 A, ensuring reliability under load

Features a low on-state resistance of 0.0192 Ohm at 10 V, aiding energy efficiency

Built with a Compact TSOP-6 packaging, facilitating integration into space-constrained designs

Incorporates Advanced TrenchFET technology for enhanced switching performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง