Vishay SIR680LDP N channel-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR680LDP-T1-BE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB101.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB108.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB101.49
10 - 24THB65.85
25 - 99THB34.66
100 - 499THB33.67
500 +THB32.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR680LDP-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SIR680LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0028Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

5.15mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power management in various applications. It operates efficiently at 80 V and excels in synchronous rectification and motor drive switching tasks.

Features a trenchFET Gen IV technology for improved power efficiency

Displays very low RDS(on) of 0.0028 Ω at 10 V, ensuring minimal conduction losses

Rated for a continuous drain current of 130 A, making it suitable for demanding applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง