Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB129,900.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB138,990.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB43.30THB129,900.00
6000 - 9000THB42.001THB126,003.00
12000 +THB40.741THB122,223.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
210-5002
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR680LDP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR680LDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง