Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680LDP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 210-5003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR680LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB442.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB473.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,720 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB88.57 | THB442.85 |
| 750 - 1495 | THB86.356 | THB431.78 |
| 1500 + | THB85.03 | THB425.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5003
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR680LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR680LDP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.26 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR680LDP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.12mm | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.26 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86350
- Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR826LDP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8