Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -3.1 A, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
735-212
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2301HDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.142Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง